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FSM128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備 500TC和900TC

FSM128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備 500TC和900TCFSM128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備 500TC和900TCFSM128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備 500TC和900TCFSM128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備 500TC和900TCFSM128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備 500TC和900TC

1. 簡(jiǎn)單介紹

??FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備:美國(guó)Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年,總部位于圣何塞,多年來為半導(dǎo)體行業(yè)等高新行業(yè)提供各式精密的測(cè)量設(shè)備,客戶遍布全世界, 主要產(chǎn)品包括:光學(xué)測(cè)量設(shè)備: 三維輪廓儀、拉曼光譜、 薄膜應(yīng)力測(cè)量設(shè)備、 紅外干涉厚度測(cè)量設(shè)備、電學(xué)測(cè)量設(shè)備:高溫四探針測(cè)量設(shè)備、非接觸式片電阻及 漏電流測(cè)量設(shè)備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析 (EOT)

2. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

??FSM128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備

??在襯底鍍上不同的薄膜后, 因?yàn)閮烧卟馁|(zhì)不一樣,以及不同的材料不同溫度下特性不一樣, 所以會(huì)引起應(yīng)力。 如應(yīng)力太大會(huì)引起薄膜脫落, 蕞終引致組件失效或可靠性不佳的問題。 薄膜應(yīng)力激光測(cè)量?jī)x利用激光測(cè)量樣本的形貌,透過比較鍍膜前后襯底曲率半徑的變化, 以Stoney’s Equation計(jì)算出應(yīng)力, 是品檢及改進(jìn)工藝的有/效手段。

??1) 快速、非接觸式測(cè)量

??2) 128型號(hào)適用于3至8寸晶圓

??128L型號(hào)適用于12寸晶圓

??128G 型號(hào)適用于470 X 370mm樣品,

??另可按要求訂做不同尺寸的樣品臺(tái)

??3) 雙激光自動(dòng)轉(zhuǎn)換技術(shù)

??如某一波長(zhǎng)激光在樣本反射度不足,系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)使用

??另一波長(zhǎng)激光進(jìn)行掃瞄,滿足不同材料的應(yīng)用

??4) 全自動(dòng)平臺(tái),可以進(jìn)行2D及3D掃瞄(可選)

??5) 可加入更多功能滿足研發(fā)的需求

??電介質(zhì)厚度測(cè)量

??6) 500 及 900°C高溫型號(hào)可選

??7) 樣品上有圖案亦適用

image007.jpg

3. 規(guī)格

??1) 測(cè)量方式: 非接觸式(激光掃瞄)

??2) 樣本尺寸:

??FSM 128NT: 75 mm to 200 mm

??FSM 128L: 150 mm/ 200 mm/ 300mm

??FSM 128G: 最/大550×650 mm

??3) 掃瞄方式: 高精度單次掃瞄、2D/ 3D掃瞄(可選)

??4) 激光強(qiáng)度: 根據(jù)樣本反射度自動(dòng)調(diào)節(jié)

??5) 激光波長(zhǎng): 650nm及780nm自動(dòng)切換(其它波長(zhǎng)可選)

??6) 薄膜應(yīng)力范圍: 1 MPa — 4 GPa

??(硅片翹曲或彎曲度變化大于1 micron)

??7) 重復(fù)性: 1% (1 sigma)*

??8) 準(zhǔn)確度: ≤ 2.5%

??使用20米半徑球面鏡

??9) 設(shè)備尺寸及重量:

??FSM 128: 14″(W)×22″(L)×15″(H)/ 50 lbs

??FSM128L:14″(W)×26″(L)×15″/ 70 lbs

??FSM128G:37″(W)×48″(D)×19″(H)/ 200 lbs

??電源 : 110V/220V, 20A

image008.jpg

型號(hào):500TC

image002.png

型號(hào):900TC




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