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EVG810 LT 低溫鍵合 等離子活化系統

EVG810 LT 低溫鍵合 等離子活化系統

       應用:用于SOI,MEMS,化合物半導體和高級襯底鍵合的低溫鍵合等離子體活化系統

一、簡(jiǎn)介

       EVG810 LT (LowTemp?)低溫鍵合等離子活化系統是一個(gè)單獨的單腔室系統,具有手動(dòng)操作功能。 處理室允許非原位處理(晶片一個(gè)接一個(gè)地活化并且鍵合在等離子體活化室外部)。

二、特征

      用于低溫鍵合的表面等離子體活化(熔合/分子和中間層鍵合)

      任何晶圓鍵合機制的zui快動(dòng)力學(xué)

      無(wú)需濕法工藝

      低溫退火時(shí)的zui高鍵合強度(zui高400°C)

      適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進(jìn)封裝

      高度的材料兼容性(包括CMOS)

三、參數

       1.晶圓尺寸:50-200mm,100-300mm

       2.低溫等離子活化腔:

        工藝氣體:2種標準工藝氣體(N2和O2)

        通用大流量控制器:自校準(高達20.000 sccm)

        真空系統:0.09 mbar

        打開(kāi)/關(guān)閉腔室:自動(dòng)化

        裝載/卸載腔室:手動(dòng)(晶圓/基板放置在裝載銷(xiāo)上)

       3.備選功能:

        用于不同的晶圓尺寸的夾頭

        金屬離子活化

        帶有氣體混合的附加工藝氣體

        帶渦輪泵的高真空系統:0.009 mbar的基礎氣壓

       4.符合LowTemp?等離子活化鍵合的材料系統

        Si:Si / Si,Si / Si(熱氧化,Si(熱氧化)/ Si(熱氧化)

        TEOS / TEOS(熱氧化)

        絕緣體鍺(GeOI)的Si / Ge

        硅/Si3N4

        玻璃(無(wú)堿浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

        化合物半導體:GaAs,GaP,InP

        聚合物:PMMA,環(huán)烯烴聚合物

        用戶(hù)可以針對上述內容和其他材料使用“zui佳已知方法”配方(可根據要求提供完整列表)


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